特許

J-GLOBAL ID：200903006314794900

イオン注入装置及びイオン注入方法

発明者： 杉山 範雄
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086713
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283074
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 シート抵抗値を再現性良く得るイオン注入装置及びそれを用いたイオン注入方法を提供する。【解決手段】 イオン注入装置(10)はイオン源(20)、イオンビーム引き出し・前段加速系(30)、質量分析系(40)、イオンビームレンズ・後段加速系(60)及びイオン注入室(80)から構成される。本発明ではスリット状の第2の電極(82)が駆動機構(83)によりイオンビームと平行に往復運動できるので、それを通過するイオンビーム(11)の径が変化され得る。また、上下運動可能な基板支持台(90)の背面に設けられたイオン検出器(86)を用いてイオンビーム電流密度を求めることができる。上記駆動機構及びイオン検出器は制御手段に接続されて略一定のイオンビーム電流密度を得るように制御されるので、所望のシート抵抗を有した半導体基板を再現性良く得ることができる。

請求項（抜粋）：

イオンビームを半導体基板に照射させるイオン注入装置において、前記イオンビームを出射させるイオンビーム発生手段と、前記イオンビーム発生手段からの前記イオンビームの速度調節及び収束を行なうイオンビーム速度調節・収束手段と、所定位置における前記イオンビームの電流密度を検出するイオン検出手段と、前記半導体基板を支持する基板支持台と、前記イオンビームの電流密度を調整すべく前記イオンビームの径を調整するイオンビーム径調整手段と、前記イオン検出手段により検出された前記イオンビームの電流密度に基づき、所望の電流密度となるようにイオンビーム径調整手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (3件)：

H01J 37/317 C ,  H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 T