特許
J-GLOBAL ID:200903006320292925

フィルムバルク弾性波共振器を有するデュプレクサフィルタ及びその半導体パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 萼 経夫 ,  宮崎 嘉夫 ,  小野塚 薫 ,  ▲高▼ 昌宏 ,  中村 壽夫 ,  加藤 勉 ,  村越 祐輔 ,  小宮 知明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-044566
公開番号(公開出願番号):特開2004-254325
出願日: 2004年02月20日
公開日(公表日): 2004年09月09日
要約:
【課題】半導体基板との接合性及び圧電膜の特性が優れたフィルムバルク弾性波共振器を提供する。【解決手段】図1(A)で、フィルムバルク弾性波共振器は、半導体基板110と、該半導体基板110の上面に形成された少なくとも2層以上の下部電極140と、該下部電極140の上面に所定厚さに蒸着された圧電膜150と、該圧電膜150の上面に形成された少なくとも2層以上の上部電極160とからなる。複数のフィルムバルク弾性波共振器を直列及び並列に連結することで、送信/受信される周波数で所定帯域をフィルタリングするフィルムバルク弾性波フィルタ、及び該フィルムバルク弾性波フィルタの周辺に必要な受動素子を一つの半導体チップに集積して、デュプレクサフィルタを超小型化し得る。また、半導体パッケージも超小型になる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、 該半導体基板の上面に形成された少なくとも2層以上の下部電極と、 該下部電極の上面に所定厚さに蒸着された圧電膜と、 該圧電膜の上面に形成された少なくとも2層以上の上部電極と、を含むことを特徴とするフィルムバルク弾性波共振器。
IPC (5件):
H03H9/17 ,  H03H9/02 ,  H03H9/10 ,  H03H9/58 ,  H03H9/70
FI (5件):
H03H9/17 F ,  H03H9/02 A ,  H03H9/10 ,  H03H9/58 A ,  H03H9/70
Fターム (9件):
5J108AA07 ,  5J108BB07 ,  5J108BB08 ,  5J108CC11 ,  5J108EE03 ,  5J108FF03 ,  5J108FF05 ,  5J108GG03 ,  5J108JJ01
引用特許:
出願人引用 (1件)
  • 米国特許出願第6,559,735号明細書

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