半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140828
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340559
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】非(001)面の面方位をもつジンクブレンド型の歪量子井戸レーザ、あるいはウルツ鉱型の歪量子井戸レーザでは、圧電効果により動作電流が高くなる。【解決手段】バリア層に不純物を添加することで達成される。特に、バリア層に不均一に不純物を添加することによって効果的に達成される。【効果】本発明によれば、圧電効果の電界を打ち消すことができ、光学的遷移確率が増大できる。

請求項（抜粋）：

所定の半導体上に、少なくともジンクブレンド型半導体である歪量子井戸活性層が結晶成長によって形成され、その結晶成長方向が[001]軸あるいはこれと等価な軸から20°乃至85°傾斜した方向であり、上記活性層がウエル層とバリア層からなり、該ウエル層もしくは該バリア層あるいは両方の層に、p型もしくはn型不純物を1018cm-3以上添加していることを特徴とする半導体発光素子。

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