特許

J-GLOBAL ID：200903006328165434

MOSFETの構造及びその製造方法

発明者： ドン・フン・イ
出願人/特許権者： エルジイ・セミコン・カンパニイ・リミテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051146
公開番号（公開出願番号）：特開平10-012741
出願日： 1997年02月20日
公開日（公表日）： 1998年01月16日
要約：

【要約】【課題】 パンチスルーによる影響を防止してチャネルの長さをできるだけ短くする。【解決手段】 ソース領域チャネル領域の間及びチャネル領域とドレイン領域との間の一部を絶縁体で塞ぐようにした。【効果】 絶縁体で塞がれているのでパンチスルーによる影響を防止することができる。したがって、チャネル長さを減少させることができ、且つ、ドレイン領域の電界の減少によりデバイスの信頼性が改善される。そしてエピタキシャル工程時シード領域の増加により工程が容易になる。

請求項（抜粋）：

表面部にアクティブ領域を有する基板と、アクティブ領域内部に間隙を置いて形成され、アクティブ領域をソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域との間に位置されたチャネル領域に分割する2つの絶縁体と、前記2つの絶縁体にまたがって位置されるように前記アクティブ領域の表面上に形成されたゲート電極と、から構成されることを特徴とするMOSFET。

IPC (2件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-073770
  
• 特開昭62-118576
  
• 特開平3-188665
  
• 特開昭59-231868