特許
J-GLOBAL ID：200903006330319406
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278429
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102460
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【目的】ロードロック室を具備する半導体製造装置に於いて、自然酸化膜の生成を防止し、高品質の薄膜の生成が行える様にしようとすると共に自然酸化膜生成防止に於けるコストの低減、時間の短縮を図る。【構成】反応炉1の内部、ロードロック室3の内部の少なくとも一方に還元ガスを導入し、或は反応炉内部に還元ガスを導入し、ロードロック室内部に不活性ガスを導入し、還元ガスの導入により自然酸化の原因となる物質を反応により酸化に寄与しない物質に変化させ、或は反応炉内を高濃度の還元ガス雰囲気とし更にロードロック室で希釈する。
請求項（抜粋）：
反応炉にロードロック室が連設された半導体製造装置に於いて、反応炉の内部、ロードロック室の内部の少なくとも一方に還元ガスを導入する様構成したことを特徴とする半導体製造装置。
引用特許：
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