多結晶シリコンの製造方法および装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-008725
公開番号（公開出願番号）：特開平6-345415
出願日： 1994年01月28日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】多結晶シリコンの製造方法および製造装置を提供する。【構成】基板500に形成されたa-Si薄膜400を再結晶する方法において、第2光源600で基板500に備えられた薄膜状のa-Si400を予備加熱する段階と、第1光源100で前記第2光源600により予備加熱されたa-Siを加熱して溶融する段階と、第2光源600により溶融されたa-Siを加熱しながらシリコンを再結晶させる段階を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板に形成されたa-Si薄膜を再結晶する方法において、第2光源で基板に備えられた薄膜状のa-Siを予備加熱する段階と、第1光源で前記第2光源により予備加熱されたa-Siを加熱して溶融する段階と、第2光源により溶融されたa-Siを加熱しながらシリコンを再結晶させる段階を含むことを特徴とする多結晶シリコン製造方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 , C30B 29/06

引用特許：

審査官引用 (2件)

薄膜半導体装置とその製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-195905 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
特開平2-226718

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