特許
J-GLOBAL ID：200903006341533400
記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-198601
公開番号（公開出願番号）：特開平5-020894
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】 不良のメモリセルを効率よく冗長メモリセルに切り替えることができる記憶装置を提供する。【構成】 多数のメモリセルが二次元マトリックス状に配置された記憶装置で、各アドレスのメモリセル故障時に使用する予備の冗長メモリセルを、ワード線又はビット線の方向に配列する。冗長メモリセルへの切り替え手段は、各メモリセル毎に置き、必要に応じてメモリセル単位でのメモリリペアを行う。
請求項（抜粋）：
アドレスを指定するためのワード線及びビット線の各方向に多数のメモリセルが配置された記憶装置において、前記メモリセルの代替用に設けた冗長メモリセルを、前記ワード線の方向又はビット線の方向に配列して設けるとともに、通常は対応するメモリセルと前記ワード線又はビット線とを接続し、必要がある場合には当該メモリセルと前記対応するワード線又はビット線との接続を切り放すとともに、前記冗長メモリセルと前記対応するワード線又はビット線とを接続する切り替え手段を、前記メモリセル毎に設けたことを特徴とする記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 29/00 301
, G11C 11/413
