特許

J-GLOBAL ID：200903006342174349

TEOS膜の形成方法

発明者： 栗原 久明
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011309
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205089
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 層間平坦化膜4等の膜厚が、その下に形成されている配線膜2の配線間隔の広狭に強く影響され、絶対段差が大きくなってしまう現象を改善する。【解決手段】 配線膜2形成後に洗浄処理を有機溶剤によって実施し、その上に適宜の下地膜を形成して或いは前記配線層の上に直接TEOSによる平坦化膜4等を形成するTEOS膜の形成方法に於て、前記有機溶剤による洗浄処理の後、当該加工対象10を適宜の時間オゾンに晒す処理を実施し、該処理を実施した後前記TEOS膜形成を実施。

請求項（抜粋）：

配線層形成後に洗浄処理を有機溶剤によって実施し、その上に適宜の下地膜を形成して或いは前記配線層の上に直接TEOSによる所定の膜を形成するTEOS膜の形成方法に於て、前記有機溶剤による洗浄処理の後、当該加工対象を適宜の時間オゾンに晒す処理を実施し、該処理を実施した後に前記TEOS膜形成を実施することを特徴とするTEOS膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/304 341 D ,  H01L 21/90 P