特許

J-GLOBAL ID：200903006354036553

多孔質複合体およびその製造方法

発明者： 積 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100378
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293656
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
要約：

【要約】【課題】多孔質支持体と多孔質薄膜との間に、均一な粒子径で、かつ平滑な表面を有する中間層を介装することによって、多孔質支持体表面に、薄く、かつピンホール等の欠陥が生じることのない多孔質支持体の表面にÅオーダーの微細な細孔径を有する多孔質薄膜を被着形成した多孔質複合体を提供する。【解決手段】多孔質支持体2の少なくとも一方の表面に、シリカ粒子の集合体からなり、該シリカ粒子の平均粒径d1が0.05〜1μmで、該粒径d1の幾何標準偏差(σg)が1.3以下の多孔質中間層3を被着形成し、かつ多孔質中間層3の表面に多孔質中間層3の平均細孔径より小さい平均細孔径を有する多孔質薄膜4を0.2μm以下の厚みで被着形成した多孔質複合体1を作製する。

請求項（抜粋）：

多孔質支持体の少なくとも一方の表面に、シリカ粒子の集合体からなり、該シリカ粒子の平均粒径d1が0.05〜1μmで、シリカ粒子の粒径dの幾何標準偏差(σg)が1.3以下の多孔質中間層を被着形成し、かつ該多孔質中間層の表面に該多孔質中間層の平均細孔径より小さい平均細孔径を有する多孔質薄膜を0.1μm以下の厚みで被着形成したことを特徴とする多孔質複合体。

IPC (10件)：

C04B 38/00 303 ,  C04B 38/00 304 ,  B01D 53/22 ,  B01D 67/00 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 500 ,  B01D 71/06 ,  B32B 5/18 ,  B32B 9/00

FI (10件)：

C04B 38/00 303 Z ,  C04B 38/00 304 Z ,  B01D 53/22 ,  B01D 67/00 ,  B01D 69/10 ,  B01D 69/12 ,  B01D 71/02 500 ,  B01D 71/06 ,  B32B 5/18 ,  B32B 9/00 A

Fターム (64件)：

4D006GA41 ,  4D006HA27 ,  4D006HA28 ,  4D006JA23A ,  4D006JA30A ,  4D006MA02 ,  4D006MA03 ,  4D006MA07 ,  4D006MA09 ,  4D006MA24 ,  4D006MA31 ,  4D006MA33 ,  4D006MB04 ,  4D006MB20 ,  4D006MC03X ,  4D006NA01 ,  4D006NA39 ,  4D006NA45 ,  4D006NA46 ,  4D006NA50 ,  4D006PA02 ,  4D006PB17 ,  4D006PB62 ,  4D006PC71 ,  4F100AA19A ,  4F100AA20B ,  4F100AA20C ,  4F100AA20D ,  4F100AA20E ,  4F100AA27C ,  4F100AA27E ,  4F100AH06B ,  4F100AH06C ,  4F100AH06D ,  4F100AH06E ,  4F100AH08C ,  4F100AH08E ,  4F100AR00A ,  4F100AR00C ,  4F100AR00E ,  4F100BA03 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA26 ,  4F100DA11 ,  4F100DD07B ,  4F100DD07D ,  4F100DE01B ,  4F100DE01D ,  4F100DJ00A ,  4F100DJ00C ,  4F100DJ00E ,  4F100EH462 ,  4F100EJ482 ,  4F100GB56 ,  4F100JK14 ,  4F100JK15 ,  4F100JM02C ,  4F100JM02E ,  4F100YY00B ,  4F100YY00D ,  4G019FA13 ,  4G019FA15 ,  4G019GA02