特許

J-GLOBAL ID：200903006354952835

酸化物超電導体薄膜積層体及び酸化物超電導体薄膜積層体の製造方法

発明者： 松永 佳典 ,  榎本 陽一
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  京セラ株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 郁男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-066559
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260733
出願日： 1996年03月22日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 原子の相互拡散が無く超伝導特性に優れたSIS型ジョセフソン素子作製用酸化物超電導体薄膜積層体及びその製造法を提供する。【解決手段】 MgO(100)単結晶基板と、該基板上に形成された組成式、Nd1+x Ba2-x Cu3 O7-y (xはゼロ乃至0.8の数、yはゼロ乃至1の数である)で表される酸化物のc軸配向単結晶薄膜、及び該c軸配向単結晶薄膜上に形成された組成式 YBa2 Cu3 O7-z (zはゼロ乃至1の数である)で表される酸化物超電導体のa軸配向単結晶薄膜とからなる酸化物超電導体薄膜積層体及びその製造法。

請求項（抜粋）：

MgO(100)単結晶基板と、該基板上に形成された下記組成式Nd1+x Ba2-x Cu3 O7-y(xはゼロ乃至0.8の数、yはゼロ乃至1の数である)で表される酸化物のc軸配向単結晶薄膜と該c軸配向単結晶薄膜上に形成された下記組成式YBa2 Cu3 O7-z(zはゼロ乃至1の数である)で表される酸化物超電導体のa軸配向単結晶薄膜とからなることを特徴とする酸化物超電導体薄膜積層体。

IPC (5件)：

H01L 39/24 ZAA ,  C23C 14/08 ,  C30B 23/08 ZAA ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 501

FI (5件)：

H01L 39/24 ZAA B ,  C23C 14/08 L ,  C30B 23/08 ZAA P ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 501 H