特許

J-GLOBAL ID：200903006358274254

半導体ウエハおよび半導体レーザの製造方法

発明者： 高橋 省吾
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321319
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129725
出願日： 1991年11月06日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 円形の半導体ウエハを用いて結晶成長を行った際の劈開面における結晶成長層のダレを除去し、ウエハの方位出しを容易に行えるようにする。【構成】 劈開オリフラ2の方位に平行なステッチ状溝31を基板表面12に形成した後に結晶成長層4を成長させ、溝3に沿って劈開を行う。この劈開端面21を参照して、以降のパターニングを行う。【効果】 ダレのない劈開端面21を参照できるので、劈開オリフラ2の方位に垂直なレーザ共振器が形成できる。

請求項（抜粋）：

オリエンテーションフラットの方位に平行な溝が少なくとも一方の面に形成されてなることを特徴とする半導体ウエハ。