特許
J-GLOBAL ID：200903006360114361
半導体素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菊池 弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-290499
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102524
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 ダイシング後のダイシング面の歪除去用ウェットエッチング時などにおける電極の浸食を防止する。【構成】 エッチング液で浸食されない材料層27で電極28を覆う構造とする。
請求項（抜粋）：
半導体層上に電極を有する半導体素子において、エッチング液で浸食されない材料層で前記電極が覆われたことを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/306
, H01L 29/46
