特許
J-GLOBAL ID：200903006362612776
絶縁ゲート電界効果半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-345675
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196689
出願日： 1992年12月25日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 絶縁ゲート電界効果半導体装置に関し、駆動力を向上し、短チャネル効果を抑制し、しきい値電圧を低減する。【構成】 チャネル領域となるn--型シリコン基板1の上にゲート絶縁膜3を形成し、その上のソース領域12とドレイン領域13の間にドープトポリシリコンからなる補助ゲート101 、酸化タングステン膜6からなる絶縁膜、メタルまたはメタルシリサイドからなる主ゲート41 、酸化タングステン膜7からなる絶縁膜、ドープトポリシリコンからなる補助ゲート111 を形成し、補助ゲート101 ,111 直下のチャネル領域を比較的不純物濃度が高いn- 型領域8,9とし、主ゲート41 とその直下のチャネル領域であるn--型シリコン基板1によって駆動力を向上するための最適設計をし、補助ゲート101 ,111 とその直下のチャネル領域であるn- 型領域8,9によって低いしきい値電圧を設定する。
請求項（抜粋）：
チャネル領域となる半導体基板の上にゲート絶縁膜を有し、該ゲート絶縁膜の上にメタルまたはメタルシリサイドからなる主ゲートと、ドープトポリシリコンからなる補助ゲートを有し、該補助ゲート直下のチャネル領域の不純物濃度が該主ゲート直下のチャネル領域の不純物濃度より高く、該補助ゲートとその直下のチャネル領域によってしきい値電圧が設定されていることを特徴とする絶縁ゲート電界効果半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 H
