特許
J-GLOBAL ID:200903006362756808

透明導電膜およびその形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-273432
公開番号(公開出願番号):特開平5-081943
出願日: 1991年09月24日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】 空気中での熱処理によって高透明度の透明導電膜を低価格、高生産性で形成する。【構成】 透明な絶縁基板1上に、イオンプレーティング法によって、酸素ガス圧下に酸素プラズマをさせ、酸化インジウムを主成分とする透明導電膜2を該透明導電膜の電気抵抗が最も小さくなる組成、すなわち化学量論的組成In2O3 よりも僅かに酸素欠乏の組成になる速度で蒸着させ、次いで透明導電膜3を膜2よりも酸素欠乏の熱処理によって最小の電気抵抗になる組成になる速度で蒸着させ、その後空気中で加熱することにより低抵抗、高透過率の透明導電膜を高い処理速度で製造する。
請求項(抜粋):
透明な絶縁基板上に酸化インジウムを主成分とする透明導電膜を形成した透明導電膜において、前記酸化インジウムを主成分とする透明導電膜の成膜直後の組成が前記絶縁基板側では該透明導電膜の電気抵抗がもっとも小さくなる組成、前記透明導電膜表面側では前記絶縁基板側の透明導電膜の組成よりも酸素欠乏の組成であり、かつ前記透明導電膜が空気中で熱処理されてなることを特徴とする透明導電膜。
IPC (7件):
H01B 13/00 503 ,  C01G 15/00 ,  C03C 17/34 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343 ,  G02F 1/155 ,  H01B 5/14

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