特許
J-GLOBAL ID：200903006370114815
絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-103515
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013610
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【目的】 陽極酸化膜で覆われた金属ゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを安定して形成し、また、チャネルへの可動イオンの侵入を防止するための方法とそれに適した薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 ゲイト電極の表面が陽極酸化された金属ゲイトを有する薄膜絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、ゲイト電極と半導体層(チャネル領域)の間に窒化珪素膜、酸化珪素膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、またはそれらの多層膜が挟まれた構造を有せしめることによって、チャネルへの可動イオンの侵入を防止し、さらに、陽極酸化の際に、ゲイト電極とチャネル領域の電位差によってゲイト絶縁膜が破壊されることを防止する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に少なくとも半導体層、絶縁膜層およびアルミニウム、クロム、チタン、タンタル、シリコンのいずれか、あるいはそれらの合金またはそれらの多層からなるゲイト電極を有する絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、絶縁膜層は、酸化アルミニウム単層、酸化珪素単層、窒化珪素単層、窒化アルミニウム単層、酸化アルミニウム層と窒化珪素層の2層、酸化アルミニウム層と酸化珪素層の2層、窒化珪素層と酸化珪素層の2層、または酸化アルミニウム層と酸化珪素層と窒化珪素層の3層からなることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
引用特許：
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