特許

J-GLOBAL ID：200903006377106060

半導体装置

発明者： 佐藤 嘉展
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-069717
公開番号（公開出願番号）：特開2001-257316
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】 高耐圧の容量素子を半導体基板に形成した半導体装置を提供する。【解決手段】 SOI基板の埋め込み酸化膜11上に、トレンチ12を介して櫛型形状を有する第1および第2の半導体パターン14,15を互いに対向配置し、そのトレンチ12内を埋める酸化膜13を誘電体とすることにより、対向面積が大きく、大容量かつ高耐圧の容量素子を備えた半導体装置を実現することができる。

請求項（抜粋）：

支持基板上の埋め込み酸化膜上に、トレンチを介して互いに対向配置された一対の櫛型若しくは波型を有する一導電型の半導体パターンと、前記トレンチ内を埋める酸化膜と、前記一対の半導体パターンにそれぞれ連通する金属電極とからなり、前記トレンチ内を埋める酸化膜を誘電体とする容量素子を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 4/33

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01G 4/06 102

Fターム (19件)：

5E082AB02 ,  5E082BC35 ,  5E082BC40 ,  5E082EE17 ,  5E082EE23 ,  5E082FG27 ,  5E082FG44 ,  5E082FG54 ,  5E082GG11 ,  5E082KK10 ,  5F038AC03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038CA05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20