特許

J-GLOBAL ID：200903006378950787

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 山口 好広 ,  加藤 千晴 ,  平山 敬三
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-187462
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032241
出願日： 1996年07月17日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ溝幅の微細化が容易で、しかも応力集中による結晶欠陥の進行を抑制することが可能な半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 誘電体分離基板10表面のトレンチ溝11aと接する部分に形成されたポリシリコン膜16aをマスクとしてトレンチ溝11aを形成し、その後トレンチ溝11aの表面上及びポリシリコン膜16aの表面上に絶縁膜17を形成して、絶縁膜17が形成されたトレンチ溝11a内に埋め込み膜19aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の溝を有する第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の溝の側面に多結晶膜又は非晶質膜を形成する工程と、前記多結晶膜又は非晶質膜が形成された第1の溝にほぼ整合する第2の溝を前記半導体基板に形成する工程と、前記第2の溝の表面上及び前記多結晶膜又は非晶質膜の表面上に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜が形成された第2の溝内に埋め込み膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/762 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/76 D ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/76 L