特許
J-GLOBAL ID：200903006379074468
単結晶体の欠陥除去方法及びその方法で欠陥除去された単結晶体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082953
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174029
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
要約：
【要約】【課題】 単結晶体の大きさに拘わらず、単結晶体の表面のみならず内部に存在する空孔型グローイン欠陥等の格子欠陥を消滅又は分散させる。【解決手段】 単結晶体11をこの単結晶体11の安定な雰囲気下、0.2〜304MPaの圧力でこの単結晶体11の絶対温度による融点の0.85倍以上の温度で5分間〜20時間、熱間等方圧加圧処理を行った後に徐冷する。また上記単結晶体11の安定な雰囲気は不活性ガス雰囲気又は高蒸気圧元素の蒸気を含む雰囲気であることが好ましく、上記圧力は10〜200MPaであれば更に好ましい。更に単結晶体11はシリコン単結晶,GaAs単結晶,InP単結晶,ZnS単結晶若しくはZnSe単結晶のインゴット又はこのインゴットを切断して得られたブロック若しくはウェーハであってもよい。
請求項（抜粋）：
単結晶体(11)をこの単結晶体(11)の安定な雰囲気下、0.2〜304MPaの圧力でこの単結晶体(11)の絶対温度による融点の0.85倍以上の温度で5分間〜20時間、熱間等方圧加圧処理を行った後に徐冷することを特徴とする単結晶体の欠陥除去方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/324 X
, C30B 33/02
4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077BE22
, 4G077BE25
, 4G077BE44
, 4G077BE46
, 4G077FE02
, 4G077FE17
, 4G077HA12
