特許
J-GLOBAL ID：200903006381280393
面発光型半導体発光装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-259635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112594
出願日： 1992年09月29日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】【目的】 素子抵抗が十分に低く、容易に製造可能なInGaAlP系面発光型半導体発光装置及びその製造方法を提供する。【構成】 本発明の骨子は、クラッド層をInGaAlPとする面発光型半導体発光装置において、GaAsをコンタクト層として用い、電流狭窄をこのGaAsコンタクト層とInGaAlPとのヘテロ接合で行うことで素子構造を簡略化し、GaAlAs層をコンタクト層の一部に構成し、接合平面と平行方向からGaAlAs層コンタクト層に電流注入を行うことで直列抵抗を減少させ、かつ信頼性をも向上させたものである。
請求項（抜粋）：
分布帰還型反射鏡と、この分布帰還型反射鏡上に形成された発光領域と、この発光領域上に島状に形成され前記発光領域から放射される光の波長に対して透明でかつ前記発光領域に電流を供給する第1のコンタクト層と、前記発光領域及び前記第1のコンタクト層に接して形成され、前記発光領域との間にヘテロ障壁を形成すると共に、前記第1のコンタクト層に電流を供給する第2のコンタクト層とを具備することを特徴とする面発光型半導体発光装置。
IPC (2件)：
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