特許

J-GLOBAL ID：200903006382271886

化学増幅レジストパターンの形成方法

発明者： 及川 朗 ,  田中 裕之 ,  尾家 正行 ,  田中 秀行 ,  阿部 信紀
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  日本ゼオン株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246734
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095397
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】半導体装置のパターン形成の際に使用される化学増幅レジストのパターンの形成方法に関し、化学増幅レジストのパターン形状の精度を良くし、解像性を向上すること。【構成】基板1の上、又は該基板1の上に形成された膜2の上に化学増幅レジスト3を塗布する工程と、非晶性ポリオレフィン類よりなる皮膜5を前記化学増幅レジストの上に塗布した後に、加熱処理する工程と、電離放射線を前記皮膜5に透過させて前記化学増幅レジスト3を露光し、潜像パターンを形成する工程と、前記皮膜5を除去した後に、前記化学増幅レジスト3を現像して潜像パターンを顕像化する工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板(1)の上、又は該基板(1)の上に形成された膜(2)の上に化学増幅レジスト(3)を塗布する工程と、非晶性ポリオレフィン類よりなる皮膜(5)を前記化学増幅レジスト(3)の上に塗布した後に、加熱処理する工程と、前記皮膜(5)を透過する電離放射線を用いて前記化学増幅レジスト(3)を露光し、潜像パターンを形成する工程と、前記皮膜(5)を除去した後に、前記化学増幅レジスト(3)を現像して潜像パターンを顕像化する工程とを含むことを特徴とする化学増幅レジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/38 501 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/30 301 R ,  H01L 21/30 331 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-287950
  
• 特開平2-063114
  
• 特開昭57-183030