特許
J-GLOBAL ID：200903006395138107
力変換素子及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149569
公開番号（公開出願番号）：特開平9-329508
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：
【要約】【課題】 力伝達部用ウェハの切削工数を低減して力変換素子の生産性の向上を図る。【解決手段】 力変換素子11を構成する基体12はN型単結晶シリコンからなり、その基体12の上面にはその中央に接合されたガラスブロック27と、一対ずつの入出力電極29とが形成されている。電極部13〜16は基体2の短軸方向においてガラスブロック27の相対向する二辺の延長線間に挟まれて配置されており、その二辺を形成しているガラスブロック27の側面と基体12の側面とが同一平面で切り落とされている。また、基体12の短軸方向がガラスブロック27の垂直方向の圧縮力に対してそのピエゾ抵抗係数が大きくなる〈1-10〉方位に一致している。
請求項（抜粋）：
力変換素子複数個分の電極を形成した半導体ウェハと、力伝達部用ウェハとを接合させた後、各素子を個々に切り離す力変換素子の製造方法において、前記力伝達部用ウェハを素子毎に切り取ってできる力伝達部の1組の相対向する二辺の延長線間に素子単位毎の電極を挟むような配置パターンで半導体ウェハの表面に電極を形成する電極形成工程と、前記電極形成後の半導体ウェハに対し力伝達部用ウェハを電極形成面側にて接合するウェハ接合工程と、前記ウェハ接合工程後、前記力伝達部の相対向する前記二辺に沿って、前記力伝達部用ウェハと前記半導体ウェハとを同一切断線で切断することにより、そのウェハ接合体を素子毎に切り離すウェハ切断工程とを備えたことを特徴とする力変換素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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