特許
J-GLOBAL ID：200903006396427617
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-092571
公開番号（公開出願番号）：特開平6-282992
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 メモリの大容量化並びにデータの信頼性向上を実現し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。【構成】 EEPROMに対してプログラム時に2つ以上のデータを入力し、2つ以上のデータの組み合わせに応じて4値以上のプログラム高電圧を作り出し、4値以上の閾値をメモリセルに記憶させ、2ビット以上の情報を記憶させるものとする。また、4値以上の閾値を持つメモリセルから2ビット以上の情報を検出するために、複数の閾値を有する3個以上のリファレンスメモリセルを設け、選択したメモリセルと複数のリファレンスメモリセルとの比較を行うプログラム回路とセンス回路とを設ける。さらに、メモリセルに2ビット以上の情報を記憶させる半導体記憶装置に、データと共にパリティビットを記憶させる方法を持たせるものとする。加えて、メモリセルに記憶させるときの閾値電圧と入出力情報との対応を、1つ上または1つ下の閾値電圧に移るときに入出力情報が1ビットしか変化しないように対応付けを行うものとする。
請求項（抜粋）：
集積化された不揮発性半導体記憶装置であって、複数の列線及び複数の行線にマトリクス状に接続された電気的プログラムが可能な複数のメモリセルと、プログラム時に当該半導体記憶装置に入力される2ビット以上のプログラムデータ値に応じて前記複数のメモリセルの内の選択されたメモリセルに対して4種類以上の電圧を印加可能なプログラム回路と、前記選択したメモリセルに前記4種類以上の電圧の印加に対応して設けられた4種類以上の互いに異なる閾値電圧と、前記4種類以上の互いに異なる閾値電圧の読み出し時に2ビット以上の読み出しデータとして取り出すセンス回路とを有し、プログラム時に前記メモリセルに書き込むデータと共に該データのパリティの情報も前記メモリセルに記憶させ、前記読み出し時に、前記書き込みデータと共に前記パリティの情報を読み出すことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/04
, G11C 29/00 302
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 308
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
