特許
J-GLOBAL ID：200903006400457810
高電子移動度電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-317116
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172182
出願日： 1994年12月20日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】耐圧を確保しつつキンクを最小限に抑制することができ、さらに実用上好ましい高電子移動度電界効果トランジスタを提供することにある。【構成】半絶縁性のInP基板1上に、InAlAsバッファ層2、InGaAsチャネル層3、InAlAsスペーサ層4、n+ InAlAsドープ層5、InAlAsゲートコンタクト層6、n+ InGaAsキャップ層7が積層されている。InAlAsゲートコンタクト層6の厚さt1(=17nm)は、量子井戸を電子で満たすに十分な厚さである。n+ InGaAsキャップ層7の広範囲において凹部8が形成され、InAlAsゲートコンタクト層6が露出している。InAlAsゲートコンタクト層6の露出部のうちの中央部分において凹部9が形成されている。ここで、凹部9の底部でのゲートコンタクト層6の厚さは、ピンチオフ電圧の印加にてドレイン電流が流れない厚さとなっている。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板の上に、電子移動領域である第1のアンドープ半導体層と、電子供給層である第1のドープ半導体層と、ゲート電極とコンタクトをとるための第2のアンドープ半導体層と、ソース・ドレイン電極とコンタクトをとるための第2のドープ半導体層とが積層された構造をなす高電子移動度電界効果トランジスタであって、前記第2のアンドープ半導体層の厚さを、量子井戸を電子で満たすに十分な厚さとし、前記第2のドープ半導体層の広範囲において当該第2のドープ半導体層を選択的にリセスエッチングして前記第2のアンドープ半導体層を露出させるとともに、その第2のアンドープ半導体層の露出部のうちの一部領域において当該第2のアンドープ半導体層を、ピンチオフ電圧の印加にてドレイン電流が流れない厚さまでリセスエッチングしたことを特徴とする高電子移動度電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/778
, H01L 21/338
, H01L 29/812
