特許

J-GLOBAL ID：200903006406305639

薄膜トランジスタ

発明者： 大野 誠治 ,  楠田 幸久
出願人/特許権者： 日本板硝子株式会社 ,  浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 大野 精市
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-295763
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151850
出願日： 1992年11月05日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 絶縁膜中に発生した伝導電子や正孔を半導体活性層側に拡散させないようにし、OFF状態時の電流を低減させた薄膜トランジスタを提供する。【構成】 半導体活性層が、それぞれ異なる禁制帯幅を有する第1絶縁膜及びその外側に形成された第2絶縁膜の少なくとも2層からなる一対の絶縁膜間に挟持された薄膜トランジスタであり、該第1絶縁膜は該第2絶縁膜より広い禁制帯幅を有している。

請求項（抜粋）：

半導体活性層が、それぞれ異なる禁制帯幅を有する第1絶縁膜及びその外側に形成された第2絶縁膜の少なくとも2層からなる一対の絶縁膜間に挟持された薄膜トランジスタであって、該第1絶縁膜が該第2絶縁膜より広い禁制帯幅を有することを特徴とする薄膜トランジスタ。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-288828
  
• 特開平4-056168
  
• 特開平1-094670
  
• 特開平1-189632