特許
J-GLOBAL ID：200903006408651453
半導体ウエハの洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163285
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005579
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 パーティクルの残留数を減少させ、良好な乾燥を可能にするウエハの洗浄を達成する。【構成】 スピン乾燥の前工程で塩酸過水でウエハ裏面を処理し、ウエハ裏面を親水面にする。これにより、純水リンス後のウエハ裏面には、水の膜2Aが付着し、スピン乾燥にて、中央の水は周辺の水に引っ張られて充分に除去され乾燥が良好に行なえる。これにより、ウエハのパーティクルが減少する。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハの洗浄方法において、該ウエハの表裏面の少なくとも一方を親水性の溶液で処理する工程と、該ウエハの表裏面の少なくとも一方の面を疎水性の溶液で処理する工程、及び該ウエハの裏面を親水性溶液により処理する工程、を含むことを特徴とする半導体ウエハの洗浄方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 351
, H01L 21/304 341
