半導体基板用洗浄液の製造装置および半導体基板の洗浄方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-338387
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176792
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】十分に洗浄能力を維持することのできる、半導体基板用洗浄液の製造装置の提供が望まれている。【解決手段】オゾンガス発生部2と、希フッ酸供給部3と、これらオゾンガス発生部2と希フッ酸供給部3とに接続して希フッ酸供給部3から供給された希フッ酸中にオゾンガス発生部2から供給されたオゾンガスを直接溶解させるオゾンガス溶解部4と、を備えてなる半導体基板用洗浄液の製造装置。

請求項（抜粋）：

オゾンガス発生部と、希フッ酸供給部と、これらオゾンガス発生部と希フッ酸供給部とに接続して希フッ酸供給部から供給された希フッ酸中にオゾンガス発生部から供給されたオゾンガスを直接溶解させるオゾンガス溶解部と、を備えてなることを特徴とする半導体基板用洗浄液の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/304 647 , H01L 21/304 648

FI (2件)：

H01L 21/304 647 Z , H01L 21/304 648 G

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