特許
J-GLOBAL ID：200903006410970256
化合物半導体の気相成長方法及び気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096720
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307291
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：
【要約】【目的】化合物半導体の気相成長装置に関し、水銀供給量の制御を容易にし、かつ半導体特性を安定成長すること。【構成】水銀濃度が異なる水銀含有ガスを供給する複数の水銀供給系統11, 12と、複数の前記水銀供給系統11, 12のうちのいずれかを選択して半導体成長領域に導入させる水銀含有ガス選択機構13,14と、水銀以外の原料ガスを前記半導体成長領域に供給する原料ガス供給系統29a,30a と、不純物を前記半導体成長領域に供給する不純物ガス供給系統31a とを含む。
請求項（抜粋）：
第一の水銀供給系統から第一の水銀含有ガスを導入するとともに、第一導電型不純物と水銀以外の原料ガスを導入して第一導電型の水銀含有半導体層を形成する工程と、前記第一の水銀含有ガスと水銀濃度が異なる第二の水銀含有ガスを第二の水銀供給系統から導入するとともに、第二導電型不純物と前記原料ガスを導入して第二導電型の水銀含有半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体の気相成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 31/0264
