特許

J-GLOBAL ID：200903006411579259

ウェハより大きなペデスタル導体を有するR.F.プラズマリアクタ

発明者： 田中 洋一郎 ,  田岡 恵 ,  バーニー コーエン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-051879
公開番号（公開出願番号）：特開平8-288374
出願日： 1996年03月08日
公開日（公表日）： 1996年11月01日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 プラズマエッチング均一性を低下させずにR.F.プラズマエッチングリアクタ内で高直流バイアスを与え、いわゆる『第1ウェハ効果』を取り除くプラズマリアクタの提供。【解決手段】 基板12の直径を超える直径を有する導電性ディスクプラテン16、プラズマから導電性プラテンを遮蔽する耐エッチングカバーを含み、耐エッチング層の一部は基板の下にあり、耐エッチングカバーは、隆起ディスクであって、導電性ディスクプラテンの中心部の上にありかつ基板の下にありかつ基板の周辺部が隆起ディスクの周囲を超えて伸びるように基板の直径より小さい直径を有する隆起ディスク、導電性ディスクプラテンの外部の上にありかつ隆起ディスクの上面の下に下げられる上面を有する引っ込んだリング環を含み、引っ込んだリング環の内部は基板の周辺部の下にあり、隆起ディスクの側壁の上部をプラズマに曝しておく。

請求項（抜粋）：

半導体基板を処理するためのプラズマリアクタであって、下記の構成部分を含むリアクタ:リアクタチャンバ;プロセスガスを前記チャンバの内部に供給するためのガス源;前記チャンバの内部に電磁力を結合して前記プロセスガスのプラズマを生成するための電源;前記半導体基板を支持しかつ前記電磁力の帰路を設けるために電気的に接続された前記チャンバ内のペデスタルであって、下記の構成部分を含むペデスタル:導電性ディスクプラテンであって、前記導電性ディスクプラテンの外環部が前記プラズマから前記電磁力の直接路となり、前記導電性ディスクの残りの内部が前記電磁力の前記ウェハを介する経路となるように前記基板の直径を超える直径を有する導電性ディスクプラテン;前記プラズマから前記導電性プラテンを遮蔽する耐エッチングカバーであって、前記耐エッチング層の一部が前記基板の下にあり、下記の構成部分を含む耐エッチングカバー:隆起ディスクであって、前記導電性ディスクプラテンの中心部の上にあり、かつ前記基板の下にあり、かつ前記基板の周辺部が前記隆起ディスクの周囲を超えて伸びるように前記基板の直径より小さい直径を有する隆起ディスク、前記導電性ディスクプラテンの外部の上にありかつ前記隆起ディスクの上面より下に下げられる上面を有する引っ込んだリング環であって、前記引っ込んだリング環の内部が前記基板の前記周辺部の下にあり、前記隆起ディスクの側壁の上部を前記プラズマに曝しておく引っ込んだリング環。

IPC (4件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3065

FI (4件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/302 B