特許

J-GLOBAL ID：200903006416909168

ライナー酸化物にMSQ材料を結合する方法及び構造

発明者： レイオ、ブイ.アナプラガダ
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-521330
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507103
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】サブミククロンでの半導体製造において低誘電率のスピン・オン材料の結合力を高めるための半導体基板上にライナー誘電体を堆積する方法を提供する。【解決手段】半導体基板上のアルミニウム合金層上にライナー誘電体を堆積するためのMSQの結合方法である。半導体基板をプラズマ化学気相反応(PECVD)環境に晒す。約1:20乃至1:30の比率でトリメチルシランとN2Oの混合ガスをPECVD環境に導入する。混合ガスが反応して所定厚みのライナー酸化物が堆積される。約5乃至20秒後にトリメチルシランとN2Oの比率を約1:3乃至1:7に変えて反応を進展させメチルドープ酸化物を堆積する。

請求項（抜粋）：

パターン化された金属層、第1のライナー誘電体層、第2のライナー誘電体層そしてスピン・オン誘電体層が積層された半導体装置であって、前記第2のライナー誘電体層は前記金属層とは化学的に親和性が低く、前記第1のライナー誘電体層よりも前記スピン・オン誘電体層と化学的に親和性が高いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/312

FI (3件)：

H01L21/90 Q ,  H01L21/31 C ,  H01L21/312 M

Fターム (24件)：

5F033HH08 ,  5F033RR20 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT01 ,  5F033WW02 ,  5F033WW10 ,  5F033XX14 ,  5F033XX24 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB39 ,  5F045AC08 ,  5F045AF01 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB17 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AE01 ,  5F058AF01 ,  5F058AG10