特許

J-GLOBAL ID：200903006419258931

半導体装置

発明者： 荒木 俊雄
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-022562
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218277
出願日： 1992年02月07日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 1つの透光性樹脂に光電変換素子と半導体集積回路素子とを封止する場合、半導体集積回路素子に光が照射しないようにして誤動作を防ぎ、2つの素子を重ね合わせる構造にすることで、実装面積を縮小する。【構成】 光電変換素子1をマウントした第1のリードフレーム3を、半導体集積回路素子2をマウントした第2のリードフレーム4の上に、重ね合わせて溶接する。第1および第2のリードフレーム3および4の各々は遮光材料からなる。これにより、光電変換素子から発する光や光電変換素子へ入射する光は、半導体集積回路素子には照射されない。この結果、遮光膜を設けなくても、回路は誤動作しない。さらに、この構造をとることで、実装面積を小さくできる。

請求項（抜粋）：

1つの透光性樹脂パッケージに、少なくとも1つの光電変換素子と半導体集積回路素子とを有する半導体装置において、前記光電変換素子が遮光材料からなる第1のリードフレーム上にマウントされ、前記半導体集積回路素子が遮光材料からなる第2のリードフレーム上にマウントされ、前記半導体集積回路素子の表面に光が照射されないように、前記第2のリードフレームと前記第1のリードフレームとが互いに重ね合わせて一体化されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 31/02

FI (2件)：

H01L 25/08 B ,  H01L 31/02 B