特許

J-GLOBAL ID：200903006424856600

(Ba,Sr)TiO3薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 遠藤 恵子 ,  米澤 政 ,  小木 勝実
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-307395
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148538
出願日： 1995年11月27日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 高容量で高絶縁性の薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】 基板上に下部電極、誘電体薄膜及び上部電極を形成した薄膜コンデンサ。誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)で表される主成分と、該主成分に対してSiとして0.1〜10モル%のSi成分とからなるペロブスカイト構造を有する。この組成の有機金属化合物溶液を、下部電極上に塗布、乾燥、仮焼した後、450〜800°Cで焼成する。この組成のターゲットを用いて、基板温度400〜800°Cで下部電極上にスパッタリングする。【効果】 Si成分の添加で、熱処理の際の焼結性が向上し、比較的低い処理温度にて、高誘電率(高容量)、高絶縁性(低リーク電流密度)で高耐圧性の(Ba,Sr)TiO3 薄膜コンデンサを製造できる。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極、誘電体薄膜及び上部電極を順次積層形成してなる薄膜コンデンサにおいて、該誘電体薄膜は、(Ba1-x Srx )TiO3 (ただし、0≦x≦1.0,0.9≦y≦1.1)で表される主成分と、該主成分に対してSiとして0.1〜10モル%のSi成分とからなるペロブスカイト構造を有する誘電体薄膜であることを特徴とする(Ba,Sr)TiO3 薄膜コンデンサ。

IPC (8件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C01G 23/00 ,  C04B 35/46 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (6件)：

H01L 27/10 651 ,  C01G 23/00 C ,  H01G 4/12 397 ,  C04B 35/46 C ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 非還元性誘電体磁器組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-278067   出願人：株式会社村田製作所
• 特開平3-011716
  
• 薄膜状誘電体及びその製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-200299   出願人：住友化学工業株式会社