特許
J-GLOBAL ID：200903006432465741
陽極酸化処理基盤及び研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 尚
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222075
公開番号（公開出願番号）：特開平7-052030
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年02月28日
要約：
【要約】【目的】 陽極酸化処理基盤として、研磨後の表面の粗度及びうねりを従来より小さくすることができる研磨技術を提供する。【構成】 陽極酸化処理基盤の研磨工程において、粗研磨・仕上げ研磨の2段階研磨とし、かつ、粗研磨剤のpHを8以上10以下、仕上げ研磨剤のpHを6以上10以下とする条件で研磨を行う。粗研磨条件を最大研磨剤砥粒径:5μm以下、研磨圧力:40〜200g/cm2とし、仕上げ研磨条件を研磨量:0.1μm以上0.6μm以下とするのが望ましい。研磨前に酸性溶液により3分以内の処理を施し、表面に過剰に存在するCuを溶解することが望ましい。この研磨方法により、表面粗度Raが1nm以下で、かつ、うねりが10nm以下であり、表面に形成されている陽極酸化皮膜厚さが4μm以上8μm以下の磁気ディスク用基盤が得られる。
請求項（抜粋）：
陽極酸化処理基盤の研磨工程において、粗研磨・仕上げ研磨の2段階研磨とし、かつ、粗研磨剤のpHを8以上10以下、仕上げ研磨剤のpHを6以上10以下とする条件で研磨を行うことを特徴とする陽極酸化処理基盤の研磨方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
