特許

J-GLOBAL ID：200903006432893174

半導体装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 年洋
出願人/特許権者： シチズン時計株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120082
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306913
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 ダイシング前の半導体基板1を用いる半導体装置の駆動試験にて、画像認識によるアライメントを容易に行うことが可能な半導体装置の構造と、その製造方法とを提供する。【解決手段】 半導体素子上と、両端に溝ができるようスクライブライン13上に設ける中間絶縁膜10と、半導体素子上のみに設け、半導体素子上の中間絶縁膜10が露出しないよう設けるパッシベーション膜16とを備える半導体装置およびその製造方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板に設ける半導体素子と、半導体素子上と、両端に溝ができるようスクライブライン上に設ける中間絶縁膜と、半導体素子上のみに設け、半導体素子上の中間絶縁膜が露出しないよう設けるパッシベーション膜とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/301 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 21/68 F ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/78 L ,  H01L 29/78 301 N