特許

J-GLOBAL ID：200903006439652571

半導体記憶装置

発明者： 法邑 茂夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-008672
公開番号（公開出願番号）：特開平11-213673
出願日： 1998年01月20日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 メモリセルの面積の増加を招くことなくデータ書き込みが高速に行える半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルのトランジスタ101〜104で構成しているデータ保持ループのドライブ能力を、メモリセルに記憶しているデータを破壊しない範囲で制御することにより、書き込み開始からしきい値に達するまでの期間ドライブ能力を低くしてデータ保持ノードの電位変化を促進し、しきい値に達してデータ記憶が反転した後の期間ドライブ能力を高くしてデータ保持ノードの電位変化を促進する。ドライブ能力の制御をメモリセルに記憶しているデータを破壊しない範囲で制御することにより、選択されていないメモリセルも含めてメモリセル全体に対して一括してドライブ能力の制御を行い、設けるドライブ能力制御手段の数を低減してメモリセルの面積の増加を抑える。

請求項（抜粋）：

データ保持ループを備えたスタティック型メモリセルと、前記データ保持ループのドライブ能力を前記メモリセルの記憶状態を破壊しない範囲で制御するドライブ能力制御手段を備えた半導体記憶装置。