特許

J-GLOBAL ID：200903006445186957

静電誘導半導体装置

発明者： 浅野 勝則 ,  菅原 良孝
出願人/特許権者： 関西電力株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-216409
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031483
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】 高い耐圧と低いオン電圧を有する静電誘導トランジスタを得ること。【解決手段】 静電誘導トランジスタにおいて、チャネル領域に埋込ゲート領域を形成し、チャネル幅を狭くする。さらにトレンチ側壁に絶縁膜を介してゲート電極を形成し、ゲートをMOS構造にする。

請求項（抜粋）：

高不純物濃度の第1の導電型のドレイン領域の上に形成した、低不純物濃度の第1の導電型のドリフト領域、前記ドレイン領域の、前記ドリフト領域に接する面の反対面に形成したドレイン電極、前記ドリフト領域内の、前記ドレイン領域に接する面の反対面の近傍の中央領域に形成した第2の導電型の埋込ゲート領域、前記ドリフト領域の、前記ドレイン領域に接する面の前記反対面に形成した第1の導電型のソース領域、前記ソース領域の表面の一部分に形成したソース電極、前記ドリフト領域の前記反対面の端部領域に形成した凹部の底部において、前記ドリフト領域内に形成した第2の導電型のリセスゲート領域、前記凹部の底面の一部分、凹部の側面及び前記ソース領域の表面に形成した絶縁膜、及び前記絶縁膜の表面、及び前記凹部のリセスゲート領域の表面に形成したゲート電極、を備える静電誘導半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/80

FI (4件)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/74 M ,  H01L 29/74 D ,  H01L 29/80 V

Fターム (30件)：

5F005AA03 ,  5F005AB03 ,  5F005AC02 ,  5F005AC03 ,  5F005AE01 ,  5F005AE07 ,  5F005AF01 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005AH04 ,  5F005BA02 ,  5F005BB01 ,  5F005BB02 ,  5F005GA01 ,  5F102FA01 ,  5F102FB01 ,  5F102GB04 ,  5F102GC07 ,  5F102GC08 ,  5F102GC09 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GR04 ,  5F102GR07 ,  5F102GS08 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC15