特許

J-GLOBAL ID：200903006445390457

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 岡本 好彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163034
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022587
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】 高集積、大面積の半導体集積回路のテストを容易にし、製造歩留りの向上が図れるようにする。【構成】 論理ゲート、メモリセルなどの機能素子を組合せた複数の半導体機能ブロック3を備えて構成される半導体集積回路装置であって、半導体機能ブロック3に機能または性能の良否判定するために前記半導体機能ブロックの周辺に設けられる検査用の入・出力配線4の他、半導体機能ブロック3の複数間を横切るようにして半導体機能ブロック3上にブロック間接続用の配線群7,10を設ける。

請求項（抜粋）：

論理ゲート、メモリセルなどの機能素子を組合せた複数の半導体機能ブロックを備えて構成される半導体装置であって、前記半導体機能ブロック毎に機能または性能の良否判定を目的として前記半導体機能ブロックの周辺に設けられる検査用の配線と、前記半導体機能ブロックの複数間を横切るようにして前記半導体機能ブロック上に布線されるブロック間接続用の配線群とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 T ,  H01L 21/82 T