特許
J-GLOBAL ID：200903006446023423
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-164810
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005086
出願日： 1992年06月23日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 VSSラインと各メモリセルとの間の距離の差に起因する読出し特性の変化を抑制し、その均一化を図る。【構成】 メモリセルから読み出したデータ信号を列アドレスデコーダ2からの信号に基づき動作するセンスアンプ3中の動作アンプ11にて補正し、出力することでVSSライン6,6と各メモリセルとの距離の差に起因するソース電位差を解消し、読出し特性を均一化する。
請求項（抜粋）：
電圧源に接続された共有のソース電位供給ラインに夫々ビット線を介してソースを接続されたメモリセルを構成するトランジスタを備え、アドレスデコーダの選択に基づき前記メモリセルのデータをセンスアンプを通じて読み出すようにした半導体記憶装置において、アドレスデコーダからの信号に基づき各メモリセルと前記電圧源との距離に対応してソース電位をセンスアンプにて補正するようにしたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 B
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
