特許
J-GLOBAL ID：200903006452314553
マイクロ波プラズマCVD膜形成方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 正次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-019500
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216047
出願日： 1993年01月12日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【目的】 CVD成膜ならびにスパッタエッチングプラズマ処理を効率的に行うことのできるマイクロ波プラズマCVD膜形成方法および装置を提供する。【構成】 プラズマ生成室2と、処理室4を備え、プラズマ生成室2には、マイクロ波電力導入手段5、6、8および磁界印加手段10が設置してあると共に、プラズマ原料ガス導入系20が接続してあり、処理室4には、化学反応材料ガス導入系22が接続してあると共に、試料台14にRF電力導入手段18が接続してあり、マイクロ波電力の発生源8およびRF電力の発生源18に対して、夫々の電力を変調する為の制御装置27が設置してある。RF電力とマイクロ波電力を互いに同期して変調し、成膜が優先する条件とスパッタエッチングが優先する条件を交互に繰り返して、CVD膜を形成する。
請求項（抜粋）：
プラズマ生成室と、試料を配置する試料台を設けた処理室を備え、前記プラズマ生成室で、プラズマ原料と、マイクロ波電力と、磁界との相互作用によりプラズマを形成し、プラズマ生成室より引き出されたプラズマを用いると共に、前記試料室に化学反応材料が供給され、前記試料にRF電力を印加して、試料表面近傍で起る物理および化学反応を促進せしめて薄膜形成を行うマイクロ波プラズマCVD膜形成方法において、前記RF電力とマイクロ波電力を互いに同期して変調することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD膜形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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