特許

J-GLOBAL ID：200903006453444710

非線型光学装置

発明者： 稲田 嗣夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-166844
公開番号（公開出願番号）：特開平5-011290
出願日： 1991年07月08日
公開日（公表日）： 1993年01月19日
要約：

【要約】【目的】本発明は、光・光スイッチ、光双安定装置、光・光メモリなどに用いられる高速でS/N比の高い非線型光学装置に関し、大きな光感度を得ることができ、エネルギバンドの曲りを生じることなく、高速動作が可能な非線型光学装置を提供することを目的とする。【構成】第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層A1と、第1の禁制帯幅より狭い第2の禁制帯幅を有する第2の半導体層A2とが交互に積層された超格子を有し、第2の半導体層A2は励起子が存在しうる厚さを有し、第2の半導体層A2のX点又はL点がΓ点の電子の第1量子準位より低エネルギ側に位置し、超格子における光吸収回復を利用するように構成する。

請求項（抜粋）：

第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層と、前記第1の禁制帯幅より狭い第2の禁制帯幅を有する第2の半導体層とが交互に積層された超格子を有し、前記第2の半導体層は励起子が存在しうる厚さを有し、前記第2の半導体層の間接ギャップのX点又はL点がΓ点の電子の第1量子準位より低エネルギ側に位置し、前記第2の半導体層に存在する励起子が前記X点又はL点に緩和することを特徴とする非線型光学装置。

IPC (8件)：

G02F 1/35 503 ,  G11C 13/04 ,  G11C 17/02 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/14 ,  H03K 3/42

FI (2件)：

G11C 17/00 320 ,  H01L 29/80 H