特許
J-GLOBAL ID:200903006453444710
非線型光学装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北野 好人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-166844
公開番号(公開出願番号):特開平5-011290
出願日: 1991年07月08日
公開日(公表日): 1993年01月19日
要約:
【要約】【目的】本発明は、光・光スイッチ、光双安定装置、光・光メモリなどに用いられる高速でS/N比の高い非線型光学装置に関し、大きな光感度を得ることができ、エネルギバンドの曲りを生じることなく、高速動作が可能な非線型光学装置を提供することを目的とする。【構成】第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層A1と、第1の禁制帯幅より狭い第2の禁制帯幅を有する第2の半導体層A2とが交互に積層された超格子を有し、第2の半導体層A2は励起子が存在しうる厚さを有し、第2の半導体層A2のX点又はL点がΓ点の電子の第1量子準位より低エネルギ側に位置し、超格子における光吸収回復を利用するように構成する。
請求項(抜粋):
第1の禁制帯幅を有する第1の半導体層と、前記第1の禁制帯幅より狭い第2の禁制帯幅を有する第2の半導体層とが交互に積層された超格子を有し、前記第2の半導体層は励起子が存在しうる厚さを有し、前記第2の半導体層の間接ギャップのX点又はL点がΓ点の電子の第1量子準位より低エネルギ側に位置し、前記第2の半導体層に存在する励起子が前記X点又はL点に緩和することを特徴とする非線型光学装置。
IPC (8件):
G02F 1/35 503
, G11C 13/04
, G11C 17/02
, H01L 29/06
, H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 31/14
, H03K 3/42
FI (2件):
G11C 17/00 320
, H01L 29/80 H
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