特許
J-GLOBAL ID：200903006456157703
ICチップおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200325
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031347
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 (a)薄い板厚の半導体基板、(b)チップ状に切断した半導体基板、(c)研削・研磨され易い半導体基板などからなる半導体装置においても、半導体基板の裏面側から赤外光を照射して行われる、集積回路パタンの解読や記憶情報の改竄等の不法行為を防止できるようにする。【解決手段】 半導体基板1の主表面側に集積回路2の形成されたICチップにおいて、半導体基板1の裏面のうち集積回路2に対応する領域の一部または全域は保護膜10によって覆われ、この保護膜10は、研磨材(窒化ホウ素粒子11)とこの研磨材を半導体基板1に付着させるためのバインダーとからなる。また、研磨材は、半導体基板1の厚さの1/10以上かつ半導体基板1の厚さ以下の粒径を有し、かつ、半導体基板1よりも高い硬度を有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面側に集積回路の形成されたICチップにおいて、前記半導体基板の裏面のうち前記集積回路に対応する領域の一部または全域は保護膜によって覆われ、この保護膜は、研磨材とこの研磨材を前記半導体基板に付着させるためのバインダーとからなり、前記研磨材は、前記半導体基板の厚さの1/10以上かつ前記半導体基板の厚さ以下の粒径を有し、かつ、前記半導体基板よりも高い硬度を有することを特徴とするICチップ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/30 D
, H01L 23/30 E
4M109AA02
, 4M109BA03
, 4M109DB14
, 4M109DB20
, 4M109EB12
, 4M109EE01
, 4M109EE13
, 4M109GA03
, 4M109GA10
