特許

J-GLOBAL ID：200903006468730000

半導体装置の製造方法

発明者： 横井 孝弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-193738
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016134
出願日： 2000年06月28日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 コンタクトホール形成時の写真製版およびエッチングのマージンを確保することができ、配線層がコンタクトホール内において露出することがなく、良好な配線を行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン窒化膜5、窒化チタン膜3、タングステン膜4を順次ドライエッチングして、配線層を形成する。全面に第2の絶縁膜であるシリコン窒化膜7を減圧熱CVD法を用いて、1.0〜30Torr,600〜1100°Cの条件にて成膜することにより、配線層上のシリコン窒化膜7を配線層間のシリコン窒化膜7よりも厚く形成する。その後、全面エッチバックし、配線層間のシリコン窒化膜7を除去して、配線層側壁にシリコン窒化膜7のサイドウォールを形成する。その後、層間絶縁膜8を形成し、エッチングしてコンタクトホール10を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に配線材料および第1の絶縁膜を順次形成する工程と、上記配線材料および第1の絶縁膜をエッチングして配線層を形成する工程と、全面に第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜にドライエッチングによるエッチバックを行ない、上記配線層側壁に上記第2の絶縁膜のサイドウォールを形成する工程と、上記第1の絶縁膜および第2の絶縁膜のエッチング特性と異なるエッチング特性を有する層間絶縁膜を全面に形成する工程と、上記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、上記全面に第2の絶縁膜を形成する工程において、上記配線層上の上記第2の絶縁膜の膜厚を、上記配線層上以外の上記第2の絶縁膜の膜厚よりも厚くなるように形成したことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (23件)：

5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ04 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM15 ,  5F033NN40 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT08 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033XX15