特許

J-GLOBAL ID：200903006472672332

フォトマスク欠陥転写特性評価方法、フォトマスク欠陥修正方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 米田 郁男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195625
公開番号（公開出願番号）：特開2002-014459
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 転写特性を精度良く推測することが可能であり、ひいては欠陥を修正すべきか否かをはっきり判別できるフォトマスク欠陥転写特性評価方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 位相シフトマスクをマスク検査装置を用いて検査し、検出した位相欠陥についてこの検査装置もしくは欠陥レビュー用測定装置を用いてサイズを測定し、さらに光学シミュレーションを用いて、位相、透過率を算出する。求めた値から露光波長での位相、透過率を算出した後、これらを用いた光学シミュレーションにより位相欠陥の転写特性を割り出す。検出された位相欠陥の検査波長での位相差、透過率を算出したことで、露光波長での位相差、透過率を見積もることができ、これを用いて欠陥転写特性を計算することにより評価精度の向上が可能となる。

請求項（抜粋）：

露光用フォトマスクの欠陥検査を行う第1の工程と、前記フォトマスクの欠陥の大きさ、検査波長における透過率及び位相差を、前記第1の工程で得られた欠陥部の光学像から算出する第2の工程と、前記欠陥部の露光波長における透過率及び位相差を、前記欠陥部の検査波長における透過率及び位相差と露光波長における屈折率及び消衰係数から算出する第3の工程と、前記欠陥部の大きさ及び前記露光波長における透過率及び位相差を用い、露光転写特性を計算して欠陥修正の必要性を判別する第4の工程とを具備したことを特徴とするフォトマスク欠陥転写特性評価方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 ,  G01B 11/24 ,  G01M 11/00 ,  G01N 21/41 ,  G01N 21/59

FI (6件)：

G03F 1/08 S ,  G03F 1/08 T ,  G01M 11/00 T ,  G01N 21/41 Z ,  G01N 21/59 Z ,  G01B 11/24 F

Fターム (25件)：

2F065AA49 ,  2F065AA54 ,  2F065CC18 ,  2F065DD03 ,  2F065FF42 ,  2F065FF44 ,  2F065FF46 ,  2F065GG01 ,  2F065GG21 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ26 ,  2F065QQ17 ,  2F065QQ24 ,  2F065QQ25 ,  2G059AA05 ,  2G059BB10 ,  2G059EE01 ,  2G059EE04 ,  2G059HH02 ,  2G059HH03 ,  2G059HH06 ,  2G059NN10 ,  2G086EE12 ,  2H095BD04 ,  2H095BD31