特許

J-GLOBAL ID：200903006474038533

ダイヤフラム構造体、微小トランスジューサ、およびこれらの製造方法

発明者： 高橋 睦也 ,  山田 高幸
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227343
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043584
出願日： 2000年07月27日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 歩留まりの高いダイヤフラム構造体、微小トランスジューサ、およびこれらの製造方法を提供する。【解決手段】 第1および第2の基板1A,1B上に離型層2を介して通常の半導体プロセスを用いてダイヤフラム構成要素である胴体部30A,30Bおよびダイヤフラム部31A,31Bを形成する。ターゲット基板11に胴体部30A,30Bを接合・転写し、胴体部30A,30Bにダイヤフラム部31A,31Bを接合・転写する。ターゲット基板11とダイヤフラム部31A,31Bとの間に空洞部が形成されたダイヤフラム構造体が完成する。

請求項（抜粋）：

基板上に、ダイヤフラム部およびダイヤフラム部を支持する胴体部を含むダイヤフラム構成要素を形成してなるダイヤフラム構造体において、前記ダイヤフラム構成要素は、薄膜から形成され、前記基板上に接合して積層されたことを特徴とするダイヤフラム構造体。

IPC (4件)：

H01L 29/84 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01L 9/04 101

FI (5件)：

H01L 29/84 B ,  H01L 29/84 Z ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  G01L 9/04 101

Fターム (21件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD04 ,  2F055EE13 ,  2F055EE25 ,  2F055FF43 ,  2F055GG01 ,  4M112AA01 ,  4M112BA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA02 ,  4M112CA12 ,  4M112DA02 ,  4M112DA06 ,  4M112DA08 ,  4M112DA09 ,  4M112DA15 ,  4M112DA18 ,  4M112EA02 ,  4M112EA07

引用特許：

審査官引用 (4件)

• センサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-135395   出願人：株式会社東海理化電機製作所
• 特開平2-030188
  
• 特開昭58-165028
  
• 特開昭61-137372