特許
J-GLOBAL ID：200903006474301218
光電変換装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-130431
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329874
出願日： 2001年04月26日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：
【要約】【課題】 結晶半導体粒子を用いた光電変換装置の製造方法は、結晶半導体粒子を密に配設することが困難という問題があった。【解決手段】 一方の電極1’を設けた基板1上に結晶半導体粒子2を配設して上部に他方の電極を形成する光電変換装置の製造方法であって、基板1と結晶半導体粒子2との共晶温度以下で焼飛する有機樹脂材料から成る被覆層6を基板1表面に形成した後に結晶半導体粒子2を配設して酸素含有雰囲気下の共晶温度以上で加熱処理して基板1と結晶半導体粒子2を接合させ、もって結晶半導体粒子2の密な配設と高い接合強度を維持することができる光電変換装置の製造方法を提供することができる。
請求項（抜粋）：
一方の電極を有する基板上に結晶半導体粒子を配設して上部に他方の電極を形成する光電変換装置の製造方法において、前記基板と前記結晶半導体粒子との接合温度以下で焼飛する有機樹脂材料から成る被覆層を前記基板表面に形成した後に、前記結晶半導体粒子を前記基板上に配設して酸素含有雰囲気下の共晶温度以上で加熱処理して前記基板と前記結晶半導体粒子を接合させることを特徴とする光電変換装置の製造方法。
Fターム (9件)：
5F051AA02
, 5F051CB12
, 5F051CB24
, 5F051CB29
, 5F051DA03
, 5F051DA20
, 5F051FA02
, 5F051GA02
, 5F051GA06
