特許

J-GLOBAL ID：200903006476294480

二重磁気状態を有する磁気エレメントおよびその製造方法

発明者： ユージーン・ユージュン・チェン ,  ジョン・マイケル・スローター ,  マーク・ダーラム ,  マーク・デヘレーラ ,  サイエド・エヌ・テラニ
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-383163
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250999
出願日： 2000年12月18日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】 ゼロ外部磁界において二重状態で動作可能な、改良された磁気エレメントを提供する。【解決手段】 磁気エレメント(10;10’;50;50’;80)は、複数の薄膜層を含み、ビット端静磁気反磁界が構造の全正結合を相殺することにより、ゼロ外部磁界において二重磁気状態を得る。また、磁気エレメント(10)の製造方法も開示する。複数の薄膜層を設け、これら薄膜層のビット端静磁気反磁界が構造の全正結合を相殺することにより、ゼロ外部磁界において二重磁気状態を得る。

請求項（抜粋）：

複数の薄膜層から成る磁気エレメント(10,10’,50,50’,80)であって、ビット端静磁気反磁界が、構造の全正結合を相殺し、外部磁界ゼロにおいて二重磁気状態を得ることを特徴とする磁気エレメント。

IPC (7件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R ,  H01L 27/10 447

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-276238   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気抵抗効果素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-327327   出願人：松下電器産業株式会社
• 磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-117237   出願人：株式会社東芝
• スピンバルブ型薄膜素子の製造方法及びこのスピンバルブ型薄膜素子を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-118949   出願人：アルプス電気株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Neel "orange-peel" coupling in magnetic tunneling junction devices"