特許

J-GLOBAL ID：200903006477400420

多層ガラスセラミツク基板とその製造方法

発明者： 生稲 一洋 ,  嶋田 勇三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276199
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090447
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】 高密度微細配線で、しかも高速化が期待できる機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板とその製造方法を提供する。【構成】 内層に導体を含む多層ガラスセラミック基板のガラスセラミック層を、アルミナ12〜59.6重量%、α-石英10〜30重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜50重量%で総量100%になるように構成し、その製造原料としては、アルミナ10〜50重量%、α-石英10〜50重量%、ホウケイ酸カルシウム系ガラス40〜70重量%で総量100%になる混合粉末を用いるか、またはアルミナ0.5〜3μm、α-石英1〜10μm、ホウケイ酸系ガラス1〜5μm、アノーサイト1〜10μm平均粒子を用いる。

請求項（抜粋）：

ガラスセラミック層がアルミナ、α-石英、ホウケイ酸系ガラスおよびアノーサイト結晶からなる無機組成物であって、アルミナ12〜59.6重量%、α-石英10〜30重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜50重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を前記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (3件)：

H01L 23/15 ,  H01L 23/12 ,  H05K 3/46

FI (2件)：

H01L 23/14 C ,  H01L 23/12 N