特許
J-GLOBAL ID：200903006478953783
窒化炭素膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-132822
公開番号（公開出願番号）：特開平11-323530
出願日： 1998年05月15日
公開日（公表日）： 1999年11月26日
要約：
【要約】【課題】 反応性の低い炭素と窒素の化合物合成を可能とし、高い密着力を有し耐摩耗性に優れた窒化炭素膜を形成てきる窒化炭素膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 窒素を含有するイオン照射20と炭素を含有するイオン照射20を同時に行うことにより、基材13上に炭素と窒素の膜状の化合物を形成させることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
窒素を含有するイオン照射と炭素を含有するイオン照射を同時に行うことにより、基材上に炭素と窒素の膜状の化合物を形成させることを特徴とする窒化炭素膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/06 H
, C23C 14/32 Z
審査官引用 (6件)
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炭素-窒素化合物膜の形成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-085764
出願人：藤本文範, 日新電機株式会社
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特開平3-202468
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特開平3-150360
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