特許

J-GLOBAL ID：200903006483170487

誘電体薄膜及びその製造方法

発明者： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  鎌田 健 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-223882
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021749
出願日： 1991年09月04日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 DRAMの容量性絶縁膜として利用できる誘電体薄膜及びその製造方法の関するもので、SiとTiとOを化合することによってリーク電流が小さく誘電率の高い薄膜を形成する。【構成】 原料ガスとして塩化チタン、モノシランおよびN2Oを用いプラズマCVD法によってSiTiO薄膜を形成する。モノシランおよび塩化チタンの流量を変化すると誘電率、リーク電流が大きく変化し、流量比(SiH4/(SiH4+TiCl4))が0.075のときリーク電流は約1x10-9A/cm2、誘電率が20程度になり、容量性絶縁膜として優れた特性を持つSiTiO薄膜が形成できる。

請求項（抜粋）：

少なくともチタン、シリコン、酸素の3元素が固体薄膜の主成分を成すことを特徴とする酸化チタンシリコン薄膜。

IPC (5件)：

H01L 27/108 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/314 ,  H01L 27/04 ,  H05H 1/24