特許
J-GLOBAL ID：200903006490964448
半導体装置のフリップチップ実装構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西川 惠清 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-026275
公開番号（公開出願番号）：特開2001-217275
出願日： 2000年02月03日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：
【要約】【課題】 高温環境下における、半田バンプ接合部の長寿命化を図った半導体装置のフリップチップ実装構造を提供することにある。【解決手段】 チップ1のA1電極2上にCr/Ni/Cuからなるバリア層3,Cuコア層4、Sn20%PB80%の半田5の層を順次積層することにより半田バンプを形成した半導体装置を、半田バンプと対向する位置にタングステンの薄膜よりなる電極80を形成したセラミック基板9上ヘフリップチップ実装する。このように構成することにより半田5からセラミック基板9の電極80側へのSnの移動(拡散)が無くなるため、半田5中のSn濃度が下がるのが遅くななり、結果Sn不足によるボイド形成を遅らせることができ、結果従来に比べて寿命が延びることになる。
請求項（抜粋）：
チップに設けられたAlの電極にCu層を介してSnを含んだ半田の層を積層することにより半田バンプを形成した半導体装置を用いて絶縁材料からなる基板上に設けられた電極上へフリップチップ実装する半導体装置のフリップチップ実装構造において、上記半田のSnの濃度低下を遅らせる手段を備えたことを特徴とする半導体装置のフリップチップ実装構造。
IPC (2件)：
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 D
5F044KK04
, 5F044LL04
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
