特許
J-GLOBAL ID：200903006499292280
高耐圧半導体素子
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-095499
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293618
出願日： 1995年04月20日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】逆回復時に接合終端部が高電圧・高電流密度になるのを防止して、安全動作領域を広げること。【構成】n型ベース層1の表面にp型エミッタ層4を囲むようにp型拡散層7を形成する。このp型拡散層7はp型エミッタ層4に接しないように形成する。p型拡散層7とp型エミッタ層4との間のn型ベース層1上に絶縁膜8を介してアノード電極5と一体的に形成された電極10を配設する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、この第1導電型半導体層の表面に選択的に形成され、前記第1導電型半導体層とともにダイオードを構成する第1の第2導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層の表面に前記第1の第2導電型半導体層に接しずに前記第1の第2導電型半導体層を囲むように形成された第2の第2導電型半導体層と、前記第1の第2導電型半導体層に設けられた第1の主電極と、前記第1導電型半導体層に設けられた第2の主電極と、前記第1の第2導電型半導体層と前記第2の第2導電型半導体層との間の前記第1導電型半導体層上に絶縁膜を介して配設された第3の電極とを具備してなることを特徴とする高耐圧半導体素子。
FI (2件)：
引用特許：
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